型号: STFI6N80K5
功能描述:
制造商: STMicroelectronics
系列： SuperMESH5™
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 4.5A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 5V @ 100µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 13nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 270pF @ 100V
Vgs（最大值）： 30V
功率耗散（最大值）： 25W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 1.6 欧姆 @ 2A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-262-3 整包，I²Pak
封装形式Package： I2PAKFP
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 800V
连续漏极电流ID： 4.5A
无铅情况/RoHs： 否
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：郭小姐
电话：15818715186
Q Q:
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
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联系人：朱先生
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Q Q:
