STFU28N65M2规格参数_STFU28N65M2全国代理商/分销商

型号: STFU28N65M2
功能描述: STFU28N65M2 Series 650 V 0.18 Ohm N-Channel MDmesh™ M2 Power MOSFET - TO-220FP
制造商: STMicroelectronics
系列： MDmesh™ M2
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 20A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）： 35nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1440pF @ 100V
Vgs（最大值）： ±25V
功率耗散（最大值）： 30W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 180 毫欧 @ 10A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳： TO-220-3 整包
封装形式Package： TO-220FP
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 650V
连续漏极电流ID： 20A
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs