型号: STGB10M65DF2
功能描述:
制造商: STMicroelectronics
IGBT 类型： 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）： 650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 20A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)： 40A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）： 2V @ 15V，10A
功率 - 最大值： 115W
开关能量： 120µJ（开），270µJ（关）
输入类型： 标准
栅极电荷： 28nC
25°C 时 Td（开/关）值： 19ns/91ns
测试条件： 400V，10A，22 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）： 96ns
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装： D2PAK
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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