型号: STGB15H60DF
功能描述:
制造商: STMicroelectronics
IGBT类型： 沟槽型场截止
电压-集射极击穿（最大值）： 600V
电流-集电极（Ic）（最大值）： 30A
脉冲电流-集电极(Icm)： 60A
不同 Vge，Ic时的 Vce（on）： 2V @ 15V，15A
功率-最大值： 115W
开关能量： 136µJ（开），207µJ（关）
输入类型： 标准
栅极电荷： 81nC
25°C时Td（开/关）值： 24.5ns/118ns
测试条件： 400V，15A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）： 103ns
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： D2PAK
栅极/发射极最大电压： ± 20 V
栅极—射极漏泄电流： 250 nA
系列： STGB15H60DF
配置： Single
集电极—发射极最大电压 VCEO： 600 V
集电极—射极饱和电压： 1.6 V
功率耗散： 115 W
在25 C的连续集电极电流： 30 A
安装风格： SMD/SMT
最大工作温度： + 175 C
最小工作温度： - 55 C
无铅情况/RoHs： 否
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：张永康
电话：18537246132
Q Q:
联系人：吴小姐
电话：13480965386
Q Q:
联系人：李海平
电话：15099918022
Q Q:
