型号: STGB20NB41LZT4
功能描述: IGBT 晶体管 N-Ch Clamped 20 Amp
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 是
技术: Si
封装 / 箱体: D2PAK-3
安装风格: SMD/SMT
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 20 V
集电极—射极饱和电压: 2 V
栅极/发射极最大电压: 12 V
在25 C的连续集电极电流: 40 A
Pd-功率耗散: 200 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
系列: STGB20NB41LZ
资格: AEC-Q101
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
集电极最大连续电流 Ic: 40 A
高度: 4.6 mm
长度: 10.4 mm
宽度: 9.35 mm
商标: STMicroelectronics
集电极连续电流: 20 A
栅极—射极漏泄电流: +/- 660 uA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: IGBTs
商标名: PowerMESH
单位重量: 2.240 g
联系人：樊勉
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联系人：蔡小姐
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联系人：李先生
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