型号: STGB30M65DF2
功能描述:
制造商: STMicroelectronics
IGBT类型： 沟槽型场截止
电压-集射极击穿（最大值）： 650V
电流-集电极（Ic）（最大值）： 60A
脉冲电流-集电极(Icm)： 120A
不同 Vge，Ic时的 Vce（on）： 2V @ 15V，30A
功率-最大值： 258W
开关能量： 300µJ（开），960µJ（关）
输入类型： 标准
栅极电荷： 80nC
25°C时Td（开/关）值： 31.6ns/115ns
测试条件： 400V，30A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）： 140ns
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： D2PAK
无铅情况/RoHs： 否
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