型号: STGB3NB60MDT4
功能描述:
制造商: STMicroelectronics
产品种类: IGBT 晶体管
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 2.4 V
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
在25 C的连续集电极电流: 3 A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
功率耗散: 68 W
最大工作温度: + 150 C
封装 / 箱体: D2PAK-3
封装: Reel
集电极最大连续电流 Ic: 6 A
最小工作温度: - 55 C
安装风格: SMD/SMT
工厂包装数量: 1000
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