型号: STGD3NB60MT4
功能描述:
制造商: STMicroelectronics
产品种类: IGBT 晶体管
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.5 V
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
在25 C的连续集电极电流: 3 A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
功率耗散: 60 W
最大工作温度: + 150 C
封装 / 箱体: DPAK-3
封装: Reel
集电极最大连续电流 Ic: 6 A
最小工作温度: - 55 C
安装风格: SMD/SMT
工厂包装数量: 2500
联系人：刘群
电话：13129599479
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：朱芳仪
电话：18123863116
Q Q:
联系人：杨晓芳
电话：13430590551
Q Q:
联系人：张
电话：15921761256
Q Q:
联系人：陈小姐
电话：18823802745
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：林女士
电话：13682587609
Q Q:
联系人：郭先生
电话：18620376149
Q Q:
联系人：李木钦
电话：15919889984
Q Q:
