型号: STGD7NB60ST4
功能描述: IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 7 Amp
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 是
技术: Si
封装 / 箱体: TO-252-3
安装风格: SMD/SMT
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.6 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 15 A
Pd-功率耗散: 55 W
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
系列: STGD7NB60S
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
集电极最大连续电流 Ic: 15 A
高度: 2.4 mm
长度: 6.6 mm
宽度: 6.2 mm
商标: STMicroelectronics
集电极连续电流: 7 A
栅极—射极漏泄电流: +/- 100 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 2500
子类别: IGBTs
商标名: PowerMESH
单位重量: 4 g
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