型号: STGF10NB60SD
功能描述: IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 10 Amp
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 是
技术: Si
封装 / 箱体: TO-220-3 FP
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.8 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 20 A
Pd-功率耗散: 25 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
系列: STGF10NB60SD
封装: Tube
集电极最大连续电流 Ic: 20 A
高度: 9.3 mm
长度: 10.4 mm
宽度: 4.6 mm
商标: STMicroelectronics
集电极连续电流: 10 A
栅极—射极漏泄电流: +/- 100 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: IGBTs
单位重量: 2.300 g
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