型号: STGF6M65DF2
功能描述: IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 是
技术: Si
封装 / 箱体: TO-220FP-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V
集电极—射极饱和电压: 1.55 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 12 A
Pd-功率耗散: 24.2 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
系列: STGF6M65DF2
集电极最大连续电流 Ic: 12 A
商标: STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流: +/- 250 uA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: IGBTs
单位重量: 2 g
联系人：蔡永记
电话：18617195508
Q Q:
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：林少贞
电话：13510648762
Q Q:
联系人：林先生
电话：15112588250
Q Q:
联系人：秦小姐，林小姐
电话：18719446697
Q Q:
