型号: STGIPQ8C60T-HZ
功能描述: IGBT 模块 SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 8 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 是
技术: -
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 2 V
在25 C的连续集电极电流: 8 A
栅极—射极漏泄电流: -
Pd-功率耗散: 19.2 W
封装 / 箱体: N2DIP-26
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
系列: STGIPQ8C60T-HZ
商标: STMicroelectronics
安装风格: Through Hole
栅极/发射极最大电压: -
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 360
子类别: IGBTs
商标名: SLLIMM
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