型号: STGP10M65DF2
功能描述:
制造商: STMicroelectronics
IGBT 类型： 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）： 650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 20A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)： 40A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）： 2V @ 15V，10A
功率 - 最大值： 115W
开关能量： 120µJ（开），270µJ（关）
输入类型： 标准
栅极电荷： 28nC
25°C 时 Td（开/关）值： 19ns/91ns
测试条件： 400V，10A，22 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）： 96ns
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3
供应商器件封装： TO-220
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：陈欣
电话：13725554160
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：陈泽川
电话：13530130101
Q Q:
联系人：李先生
电话：13798566306
Q Q:
联系人：谭
电话：15573591666
Q Q:
