型号: STGP15M65DF2
功能描述: IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V, 15 A low loss
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 是
技术: Si
封装 / 箱体: TO-220-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V
集电极—射极饱和电压: 1.55 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 30 A
Pd-功率耗散: 136 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
系列: STGP15M65DF2
集电极最大连续电流 Ic: 30 A
商标: STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流: +/- 250 uA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: IGBTs
联系人：李小姐
电话：13066809747
Q Q:
联系人：赵伟滨
电话：19926488141
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：牛小姐
Q Q:
联系人：郑涛
电话：13924625921
Q Q:
联系人：李卫军
电话：18600323063
Q Q:
