STGP7H60DF规格参数_STGP7H60DF全国代理商/分销商

型号: STGP7H60DF
功能描述: IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 是
技术: Si
封装 / 箱体: TO-220-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.95 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 14 A
Pd-功率耗散: 88 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
系列: STGP7H60DF
封装: Tube
集电极最大连续电流 Ic: 14 A
高度: 4.6 mm
长度: 15.85 mm
工作温度范围: - 55 C to + 175 C
宽度: 10.4 mm
商标: STMicroelectronics
集电极连续电流: 14 A
栅极—射极漏泄电流: 250 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: IGBTs
单位重量: 6 g