型号: STGW28IH125DF
功能描述: IGBT 晶体管 1250V 25A trench gate field-stop IGBT
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 是
技术: Si
封装 / 箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1.25 kV
集电极—射极饱和电压: 2.65 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 60 A
Pd-功率耗散: 375 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
系列: STGW28IH125DF
封装: Tube
集电极最大连续电流 Ic: 30 A
商标: STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流: 250 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 600
子类别: IGBTs
单位重量: 38 g
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：刘先生
电话：18390902447
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：谭
电话：15573591666
Q Q:
联系人：夏永
电话：139-26583967
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13534085766
Q Q:
