型号: STGWA15H120F2
功能描述: IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: IGBT 晶体管
技术: Si
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.5 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 30 A
Pd-功率耗散: 259 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
系列: STGWA15H120F2
商标: STMicroelectronics
集电极连续电流: 15 A
栅极—射极漏泄电流: +/- 250 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 600
子类别: IGBTs
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13923432237
Q Q:
联系人：李小姐
电话：13424246946
Q Q:
联系人：梅良东
电话：13530227631
Q Q:
联系人：彭凌俊
电话：13670271085
Q Q:
