型号: STGWA40H60DLFB
功能描述: IGBT 晶体管
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 是
技术: Si
封装 / 箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.6 V
栅极/发射极最大电压: 2 V
在25 C的连续集电极电流: -
Pd-功率耗散: 283 W
最大工作温度: + 175 C
系列: STGWA40H60DLFB
集电极最大连续电流 Ic: 40 A
商标: STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流: -
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 600
子类别: IGBTs
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