型号: STGWA8M120DF3
功能描述: IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: IGBT 晶体管
技术: Si
封装 / 箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 1.85 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 16 A
Pd-功率耗散: 167 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
系列: STGWA8M120DF3
商标: STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流: 250 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 600
子类别: IGBTs
联系人：刘先生
电话：18390902447
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：黄先生
Q Q:
联系人：宋鹏
电话：18712236688
Q Q:
联系人：王小姐
电话：15815508009
Q Q:
