STGWT40H65DFB规格参数_STGWT40H65DFB全国代理商/分销商

型号: STGWT40H65DFB
功能描述: STMicroelectronics/分立半导体产品
制造商: STMicroelectronics
特色产品： "Tail-Less" 600 V IGBT V Series St Micro - 650 V IGBT HB Series Transistors
标准包装： 30
类别：分立半导体产品
家庭： IGBT - 单路
系列： -
包装：管件
IGBT 类型：沟道和场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）： 650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 80A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)： 160A
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）： 2V @ 15V，40A
功率 - 最大值： 283W
开关能量： 498µJ（开），363µJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷： 210nC
25°C 时 Td（开/关）值： 40ns/142ns
测试条件： 400V，40A，5 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）： 62ns
封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3
安装类型：通孔
供应商器件封装： TO-3P
其它名称： 497-14229-5