型号: STGYA120M65DF2AG
功能描述: IGBT 晶体管 Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss in a Max247 long leads package
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 是
技术: Si
封装 / 箱体: MAX-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V
集电极—射极饱和电压: 1.65 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 160 A
Pd-功率耗散: 625 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
系列: STGYA120M65DF2AG
资格: AEC-Q101
商标: STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流: 250 uA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 600
子类别: IGBTs
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