型号:  STH110N10F7-2

功能描述:  STMicroelectronics/分立半导体产品

制造商:  STMicroelectronics

其它有关文件：  STH110N10F7-2 View All Specifications

特色产品：  STMicro - STP310N10F7 S TripFET F7 Series Power MOSFETs

标准包装：  1,000

类别：  分立半导体产品

家庭：  FET - 单

系列：  DeepGATE?，STripFET? VII

包装：  带卷（TR）

FET 类型：  MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：  标准

漏源极电压（Vdss）：  100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  110A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：  6.5 毫欧 @ 55A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  4.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：  72nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：  5117pF @ 50V

功率 - 最大值：  150W

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 凸片）变型

供应商器件封装：  H²PAK

其它名称：  497-13549-2STH110N10F72