型号: STI24NM60N
功能描述:
制造商: STMicroelectronics
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1400pF @ 50V
Vgs（最大值）： ±30V
功率耗散（最大值）： 125W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 190 毫欧 @ 8A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss）： 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 46nC @ 10V
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds： 50V
供应商器件封装： I2PAK
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：刘先生
电话：18390902447
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：林奋勇
电话：13421536964
Q Q:
联系人：周先生
电话：13590404378
Q Q:
联系人：陈先生
电话：13421848389
Q Q:
