型号: STI4N62K3
功能描述: MOSFET N-channel 620 V 17 Pwr MOSFET
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-262-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 620 V
Id-连续漏极电流: 3.8 A
Rds On-漏源导通电阻: 2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.75 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 22 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 70 W
配置: Single
商标名: SuperMESH
封装: Tube
系列: STI4N62K3
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: STMicroelectronics
下降时间: 19 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 9 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 29 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
单位重量: 1.438 g
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