型号:  STI6N80K5

功能描述:  

制造商:  STMicroelectronics

系列：  SuperMESH5™

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  4.5A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  5V @ 100µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  7.5nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  255pF @ 100V

Vgs（最大值）：  30V

功率耗散（最大值）：  85W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  1.6 欧姆 @ 2A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  通孔

封装/外壳：  TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA

封装形式Package：  I2PAK

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  800V

连续漏极电流ID：  4.5A

Ciss - 输入电容：  255 pF

Id - C连续漏极电流：  4.5 A

品牌：  STMicroelectronics

安装风格：  Through Hole

晶体管极性：  N-Channel

最低工作温度：  - 55 C

最高工作温度：  + 150 C

通道模式：  Enhancement

配置：  Single

Pd - 功率消耗：  110 W

Qg - 闸极充电：  7.5 nC

Rds On - 漏-源电阻：  1.6 0hms

Vds - 漏-源击穿电压：  800 V

Vgs - 闸极-源极击穿电压：  ± 30 V

Vgs th - 门源门限电压：  4 V

无铅情况/RoHs：  否