型号: STL100N6LF6
功能描述: STMicroelectronics/分立半导体产品
制造商: STMicroelectronics
其它有关文件: STL100N6LF6 View All Specifications
标准包装: 3,000
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 单
系列: DeepGATE?,STripFET? VI
包装: 带卷(TR)
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 100A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 4.5 毫欧 @ 11A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 130nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 8900pF @ 25V
功率 - 最大值: 80W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-PowerVDFN
供应商器件封装: PowerFlat?(5x6)
其它名称: 497-13273-2
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