型号: STL10HN65M2
功能描述: MOSFET
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerFLAT-5x6-VHV-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 5 A
Rds On-漏源导通电阻: 900 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: -
Qg-栅极电荷: 11.5 nC
最小工作温度: -
最大工作温度: -
Pd-功率耗散: -
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Reel
系列: STL10HN65M2
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值: -
下降时间: -
产品类型: MOSFET
上升时间: -
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: -
典型接通延迟时间: -
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