型号:  STL110N10F7

功能描述:  N-Channel 100 V 6 mOhm 21 A Power Mosfet - PowerFLAT™5x6

制造商:  STMicroelectronics

系列：  DeepGATE™，STripFET™ VII

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  107A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  4.5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  72nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  5117pF @ 50V

Vgs（最大值）：  ±20V

功率耗散（最大值）：  136W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  6 毫欧 @ 10A，10V

工作温度：  -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  8-PowerSMD，扁平引线

封装形式Package：  Power

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  100V

连续漏极电流ID：  110A

RoHS：  符合 RoHS

最高工作温度：  + 175 C

5 W：  Pd - 功率消耗

安装风格：  SMD/SMT

品牌：  STMicroelectronics

最低工作温度：  - 55 C

标准包装数量：  3000

晶体管极性：  N-Channel

Vds - 漏-源击穿电压：  100 V

Vgs - 闸极-源极击穿电压：  20 V

Id - C连续漏极电流：  21 A

Rds On - 漏-源电阻：  6 m0hms

配置：  Dual Dual Source

Vgs th - 门源门限电压：  2 V to 4 V

60 nC：  Qg - 闸极充电

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs