型号: STL12N65M5
功能描述: N-Channel 650 V 8.5 A 0.53 O Power Mosfet - PowerFLAT 5x6 HV
制造商: STMicroelectronics
系列： MDmesh™ V
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 8.5A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 17nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 644pF @ 100V
Vgs（最大值）： ±25V
功率耗散（最大值）： 48W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 530 毫欧 @ 4.25A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-PowerVDFN
封装形式Package： Power
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 650V
连续漏极电流ID： 8.5A
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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