型号:  STL13NM60N

功能描述:  STMicroelectronics/分立半导体产品

制造商:  STMicroelectronics

其它有关文件：  STL13NM60N View All Specifications

特色产品：  ST - PowerFLAT? 8x8 HV

标准包装：  3,000

类别：  分立半导体产品

家庭：  FET - 单

系列：  MDmesh? II

包装：  带卷（TR）

FET 类型：  MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：  标准

漏源极电压（Vdss）：  600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  10A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：  385 毫欧 @ 5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：  30nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：  790pF @ 50V

功率 - 最大值：  90W

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  4-PowerFlat? HV

供应商器件封装：  PowerFlat?（8x8） HV

配用：  497-13913-ND - BOARD L6562A L6569 STL13NM60N

其它名称：  497-11845-2