型号:  STL18N60M2

功能描述:  MOSFET N-channel 600 V, 0.278 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 HV package

制造商:  STMicroelectronics

制造商:  STMicroelectronics

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  PowerFLAT-5x6-HV-8

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  650 V

Id-连续漏极电流:  9 A

Rds On-漏源导通电阻:  308 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  3 V

Vgs - 栅极-源极电压:  25 V

Qg-栅极电荷:  21.5 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  57 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  MDmesh

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

系列:  STL18N60M2

晶体管类型:  1 N-Channel

商标:  STMicroelectronics

下降时间:  10.6 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  9 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  47 ns

典型接通延迟时间:  12 ns