型号:  STL20DN10F7

功能描述:  MOSFET Dual N-channel 100 V, 0.065 Ohm typ., 5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 double island

制造商:  STMicroelectronics

制造商:  STMicroelectronics

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  PowerFLAT-5x6-8

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  100 V

Id-连续漏极电流:  5 A

Rds On-漏源导通电阻:  67 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  4.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  7.8 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  4 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

商标名:  STripFET

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

系列:  STL20DN10F7

晶体管类型:  2 N-Channel

商标:  STMicroelectronics

下降时间:  4 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  3 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  11 ns

典型接通延迟时间:  6.3 ns