型号: STL210N4F7AG
功能描述:
制造商: STMicroelectronics
系列: STripFET™ F7
FET类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 40V
电流-连续漏极(Id)(25°C时): 120A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 43nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): 3600pF @ 25V
Vgs(最大值): ±20V
功率耗散(最大值): 150W(Tc)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 1.6 毫欧 @ 16A,10V
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-PowerVDFN
无铅情况/RoHs: 否
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