型号:  STL22N65M5

功能描述:  

制造商:  STMicroelectronics

110 W：  Pd - 功率消耗

36 nC：  Qg - 闸极充电

品牌：  STMicroelectronics

安装风格：  SMD/SMT

封装/外壳：  Reel

晶体管极性：  N-Channel

最低工作温度：  - 55 C

最高工作温度：  + 150 C

标准包装数量：  3000

系列：  STL22N65M5

Id - C连续漏极电流：  15 A

Rds On - 漏-源电阻：  210 m0hms

RoHS：  符合 RoHS

Vds - 漏-源击穿电压：  650 V

Vgs th - 门源门限电压：  4 V

上升时间：  7.5 ns

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  650V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  15A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  36nC @ 10V

Vgs（最大值）：  ±25V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  1345pF @ 100V

功率耗散（最大值）：  2.8W（Ta），110W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  210 毫欧 @ 8.5A，10V

工作温度：  150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

供应商器件封装：  PowerFlat™（8x8） HV

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs