型号:  STL24N60M2

功能描述:  Single N-Channel 650 V 0.21 O 125 W SMT Power Mosfet - PowerFLAT 8x8 HV

制造商:  STMicroelectronics

系列：  MDmesh™ II Plus

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  18A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  29nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  1060pF @ 100V

Vgs（最大值）：  ±25V

功率耗散（最大值）：  125W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  210 毫欧 @ 9A，10V

工作温度：  150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  4-PowerFlat™ HV

封装形式Package：  Power

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  600V

连续漏极电流ID：  18A

RoHS：  符合 RoHS

125 W：  Pd - 功率消耗

安装风格：  SMD/SMT

品牌：  STMicroelectronics

下降时间：  15 ns

上升时间：  9 ns

标准包装数量：  3000

标准断开延迟时间：  60 ns

晶体管极性：  N-Channel

Vds - 漏-源击穿电压：  600 V

Vgs - 闸极-源极击穿电压：  25 V

Id - C连续漏极电流：  18 A

Rds On - 漏-源电阻：  186 m0hms

配置：  Single

Vgs th - 门源门限电压：  3 V

29 nC：  Qg - 闸极充电

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs