型号:  STL36DN6F7

功能描述:  MOSFET Dual N-channel 60 V, 0.023 Ohm typ., 36 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 double island package

制造商:  STMicroelectronics

制造商:  STMicroelectronics

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  PowerFLAT5x6-8

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  60 V

Id-连续漏极电流:  33 A

Rds On-漏源导通电阻:  23 mOhms, 23 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  8 nC, 8 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  58 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

商标名:  STripFET

系列:  STL36DN6F7

晶体管类型:  2 N-Channel

商标:  STMicroelectronics

下降时间:  3.95 ns, 3.95 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  3.25 ns, 3.25 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  12.1 ns, 12.1 ns

典型接通延迟时间:  7.85 ns, 7.85 ns