型号:  STL50DN6F7

功能描述:  MOSFET Dual N-channel 60 V, 9 mOhm typ., 57 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 double island package

制造商:  STMicroelectronics

制造商:  STMicroelectronics

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  PowerFLAT-5x6-8

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  60 V

Id-连续漏极电流:  57 A

Rds On-漏源导通电阻:  11 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  17 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  62.5 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

商标名:  STripFET

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

系列:  STL50DN6F7

晶体管类型:  2 N-Channel

商标:  STMicroelectronics

下降时间:  8 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  15.3 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  19.4 ns

典型接通延迟时间:  14.5 ns