型号: STL80N75F6
功能描述: STMicroelectronics/分立半导体产品
制造商: STMicroelectronics
其它有关文件： STL80N75F6 View All Specifications
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： DeepGATE?，STripFET? VI
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 75V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 80A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 6.3 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 100nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 7120pF @ 25V
功率 - 最大值： 80W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-PowerVDFN
供应商器件封装： PowerFlat?（5x6）
其它名称： 497-12981-2
联系人：小柯
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