型号:  STL8P2UH7

功能描述:  P-Channel 20 V 8 A 22.5 mOhm STripFET VII DeepGATE Power MosFet 2 x 2

制造商:  STMicroelectronics

系列：  DeepGATE™，STripFET™ VII

FET类型：  P 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  20V

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  8A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  1.5V，4.5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  1V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  22nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  2390pF @ 16V

Vgs（最大值）：  ±8V

功率耗散（最大值）：  2.4W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  22.5 毫欧 @ 4A，4.5V

工作温度：  150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  6-PowerWDFN

封装形式Package：  Power

极性Polarity：  P-CH

漏源极击穿电压VDSS：  30V

连续漏极电流ID：  8A

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs