型号: STL8P2UH7
功能描述: P-Channel 20 V 8 A 22.5 mOhm STripFET VII DeepGATE Power MosFet 2 x 2
制造商: STMicroelectronics
系列: DeepGATE™,STripFET™ VII
FET类型: P 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20V
电流-连续漏极(Id)(25°C时): 8A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): 1.5V,4.5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值): 1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 22nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): 2390pF @ 16V
Vgs(最大值): ±8V
功率耗散(最大值): 2.4W(Tc)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 22.5 毫欧 @ 4A,4.5V
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-PowerWDFN
封装形式Package: Power
极性Polarity: P-CH
漏源极击穿电压VDSS: 30V
连续漏极电流ID: 8A
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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