型号: STMSTB11NM60FDT4
功能描述: Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
制造商: stmicroelectronics
包装： 3D2PAK
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 600 V
最大连续漏极电流： 11 A
RDS -于： 450@10V mOhm
最大门源电压： ±30 V
典型导通延迟时间： 20 ns
典型上升时间： 16 ns
典型下降时间： 15 ns
工作温度： -65 to 150 °C
安装： Surface Mount
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