型号: STMSTB23NM60N
功能描述: Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
制造商: stmicroelectronics
包装: 3D2PAK
通道模式: Enhancement
最大漏源电压: 600 V
最大连续漏极电流: 19 A
RDS -于: 180@10V mOhm
最大门源电压: ±25 V
典型导通延迟时间: 25 ns
典型上升时间: 15 ns
典型关闭延迟时间: 90 ns
典型下降时间: 36 ns
工作温度: -55 to 150 °C
安装: Surface Mount
联系人:Alien
联系人:马小姐
电话:13922854643
联系人:李先生
电话:18822854608
联系人:罗先生
电话:19854773352
联系人:赵小姐
电话:13049883113
联系人:胡小姐
电话:13724343501
联系人:陈敏
电话:17302670049
联系人:张先生
电话:13760244663
联系人:丁小姐
电话:13510562077
联系人:曹泷
电话:18127050390