型号: STMSTB4NK60Z1
功能描述: Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) I2PAK T/R
制造商: stmicroelectronics
包装： 3I2PAK
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 600 V
最大连续漏极电流： 4 A
RDS -于： 2000@10V mOhm
最大门源电压： ±30 V
典型导通延迟时间： 12 ns
典型上升时间： 9.5 ns
典型关闭延迟时间： 29 ns
典型下降时间： 16.5 ns
工作温度： -55 to 150 °C
安装： Through Hole
联系人：洪
电话：13652309457
Q Q:
联系人：赵
电话：13823158773
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：张
电话：15921761256
Q Q:
联系人：郭小姐
电话：15818715186
Q Q:
联系人：石满满
电话：13051098960
Q Q:
联系人：曹先生
电话：13487865852
Q Q:
联系人：陈晓斌
电话：15220450004
Q Q:
联系人：刘思，戴勇
电话：13825289019
Q Q:
