型号: STMSTD10NM60N
功能描述: Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
制造商: stmicroelectronics
包装： 3DPAK
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 600 V
最大连续漏极电流： 10 A
RDS -于： 550@10V mOhm
最大门源电压： ±25 V
典型导通延迟时间： 10 ns
典型上升时间： 12 ns
典型关闭延迟时间： 32 ns
典型下降时间： 15 ns
工作温度： -55 to 150 °C
安装： Surface Mount
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：叶小姐
电话：15818661396
Q Q:
联系人：张
电话：15921761256
Q Q:
联系人：陈生
电话：13537702078
Q Q:
联系人：张
电话：13266573387
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：小林
电话：15766460736
Q Q:
联系人：夏辉
电话：13828713911
Q Q:
联系人：丁晓涛
Q Q:
联系人：郭先生
Q Q:
