型号: STMSTD1NK601
功能描述: Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
制造商: stmicroelectronics
包装: 3IPAK
通道模式: Enhancement
最大漏源电压: 600 V
最大连续漏极电流: 1 A
RDS -于: 8500@10V mOhm
最大门源电压: ±30 V
典型导通延迟时间: 6.5 ns
典型上升时间: 5 ns
典型关闭延迟时间: 19 ns
典型下降时间: 25 ns
工作温度: -55 to 150 °C
安装: Through Hole
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