型号: STMSTD2NB80T4
功能描述: Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
制造商: stmicroelectronics
包装： 3DPAK
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 800 V
最大连续漏极电流： 1.9 A
RDS -于： 6500@10V mOhm
最大门源电压： ±30 V
典型导通延迟时间： 12 ns
典型上升时间： 10 ns
典型下降时间： 17 ns
工作温度： -65 to 150 °C
安装： Surface Mount
标准包装： Tape & Reel
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Q Q:
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