型号: STMSTD4NK60Z1
功能描述: Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) IPAK T/R
制造商: stmicroelectronics
包装： 3IPAK
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 600 V
最大连续漏极电流： 4 A
RDS -于： 2000@10V mOhm
最大门源电压： ±30 V
典型导通延迟时间： 12 ns
典型上升时间： 9.5 ns
典型关闭延迟时间： 29 ns
典型下降时间： 16.5 ns
工作温度： -55 to 150 °C
安装： Through Hole
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