型号:  STN1HNK60

功能描述:  MOSFET 600V 8Ohm 1A N-Chnnl Zener SuperMESH

制造商:  STMicroelectronics

制造商:  STMicroelectronics

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-223-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  600 V

Id-连续漏极电流:  400 mA

Rds On-漏源导通电阻:  8.5 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2.25 V

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Qg-栅极电荷:  7 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  3.3 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  SuperMESH

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  1.8 mm

长度:  6.5 mm

系列:  STN1HNK60

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  3.5 mm

商标:  STMicroelectronics

下降时间:  25 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  5 ns

工厂包装数量:  4000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  19 ns

典型接通延迟时间:  6.5 ns

单位重量:  250 mg