型号:  STN3P6F6

功能描述:  MOSFET P-Ch 60 V, 0.13 Ohm 3 A STripFET VI

制造商:  STMicroelectronics

制造商:  STMicroelectronics

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-223-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  60 V

Id-连续漏极电流:  3 A

Rds On-漏源导通电阻:  160 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Qg-栅极电荷:  6.4 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  2.6 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  STripFET

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

系列:  STN3P6F6

晶体管类型:  1 P-Channel

类型:  P Channel Power MOSFET

商标:  STMicroelectronics

下降时间:  3.7 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  5.3 ns

工厂包装数量:  4000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  14 ns

典型接通延迟时间:  6.4 ns

单位重量:  250 mg