型号: STP110N55F6
功能描述: STMicroelectronics/分立半导体产品
制造商: STMicroelectronics
其它有关文件： STP110N55F6 View All Specifications STP110N55F6 View All Specifications
标准包装： 50
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： DeepGATE?，STripFET? VI
包装： 管件
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 110A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 5.2 毫欧 @ 60A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 120nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 8350pF @ 25V
功率 - 最大值： 150W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3
供应商器件封装： TO-220
其它名称： 497-13552-5
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电话：13724343501
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