型号: STP140N4F6
功能描述:
制造商: STMicroelectronics
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 80A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
功率耗散(最大值): 168W(Tc)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220
封装/外壳: TO-220-3
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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